SIM卡电路的主要分为几个部分，VCC :电源，存在1.8V/3V/5V ，按照协议，目前常用的分为CLASS B与CLASS C。其中，CLASS B电压为2.7-3.3V。 CLASS C电压为1.62-198V。功耗方面CLASS B最大为6mA。CLASS C最大为4mA。一般情况下, SIM卡检测电路要求支持1.8V与3.0V。

RST：复位，主要用于对内部的处理器进行复位。低电平: 0-0.2VCC。高电平: 0.8VCC-VCC。CLK ：时钟，时钟均在1-4MHZ。 低电平： 0-0.2VCC。高电平：0.7VCC-VCC。数据与手机内部进行信息传输的通信线。低电平: -0.3-0.2VCC。高电平: 0.7VCC-VCC+0.3。

VPP ， SIM卡的编程供电。在一般情况下为NC ，在设备具备NFC功能的情况下会使用到该引脚。

DET，检测管脚，低电平拔出,高电平插入。其中， DET脚并不是SIM卡的引脚信号。其仅存在与连接器卡座上，属于机械弓|脚，通过机械结构实现插卡与拔卡的状态切换。

电源开关时，SIM卡电气性能为：当敞开电源期间，按以下次第激活各触点：RST低电平状况：Vcc加电；I/O口处于接纳状况；VPP加电；供给安稳的时钟信号。当封闭电源时，按如下次第作业：RST低电平状况；CLK低电平状况；VPP去电；I/O口低电平状况；VCC去电。
正常开机的移动电话机，在SIM卡座上用示波器能够丈量到SIM_I/O、SIM_CLK、SIM_RST信号，它们是一个3V左右的脉冲。若检测不到，阐明SIM卡座供电开关管周边电阻、电容元件脱焊、SIM卡卡座脱焊，也有可能是卡座导致接触不良，SIM卡外表氧化或是作废卡。